高溫高壓激光浮區單晶爐
上海潤洽公司(si)推(tui)出的激光浮區(qu)法單晶(jing)生(sheng)長系統是新一代高(gao)性能激光浮區(qu)爐具(ju)有(you)更(geng)高(gao)功(gong)率(lv)、更(geng)加均勻(yun)的能量分布和更(geng)加穩定的性能,將浮區(qu)法晶(jing)體生(sheng)長技術(shu)推(tui)向一個全新的高(gao)度!
應用(yong)(yong)領域(yu):可廣泛用(yong)(yong)于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科領域(yu)相(xiang)關單(dan)晶材(cai)料制備,尤其適(shi)合高(gao)(gao)飽和蒸汽壓(ya)、高(gao)(gao)熔點材(cai)料及高(gao)(gao)熱導率材(cai)料等常規浮(fu)區法單(dan)晶爐(lu)難以勝任的單(dan)晶生長工作。
激(ji)光(guang)浮(fu)區(qu)法單晶生(sheng)長(chang)系統可廣泛用于(yu)凝聚態物(wu)理、化學、半導體、光(guang)學等多種學科(ke)領域相(xiang)關單晶材料制(zhi)備,尤其適合高(gao)飽和蒸汽壓、高(gao)熔點材料及高(gao)熱導率材料等常規浮(fu)區(qu)法單晶爐(lu)難(nan)以(yi)勝任的單晶生(sheng)長(chang)工作,跟(gen)傳統的激(ji)光(guang)浮(fu)區(qu)法單晶生(sheng)長(chang)系統相(xiang)比,上海潤洽公司推出的新一代激(ji)光(guang)浮(fu)區(qu)法單晶爐(lu)系統具(ju)有以(yi)下技術優(you)勢:
1、采用全新五束激光設計,確(que)保(bao)熔區能量分(fen)布(bu)更加均勻。
2、更加科學的激(ji)光光斑(ban)優化方(fang)案,有助于降(jiang)低晶體(ti)生長過程中的熱(re)應力。
3、采用了特的實時溫(wen)度集成控(kong)制系統。
技術參數(shu)
| 機器型號 | RQM-0020 | RQM-0050 | RQM-0100 |
| 清洗寬度 | 0-80mm(可定制) | 0-80mm(可定制) | 0-80mm(可定制) |
| 激光功率 | 20W | 50W | 100W |
| 激光波長 | 1064±5nm | 1064nm±5nm | 1064nm±5nm |
| 適用材料 | 金屬表面 | 金屬表面 | 金屬表面 |
| 脈沖頻率 | 10-100KHZ | 10-100KHZ | 10-100KHZ |
| 清洗速度(浮銹) | 0.5-1.5m2/h | 1-3m2/h | 3-5m2/h |
| 掃描速度 | ≤6000mm/s | ≤6000mm/s | ≤6000mm/s |
| 設備功率 | ≤800W | ≤1000KW | ≤1500W |
| 定位精度 | ±0.03mm | ±0.03mm | ±0.03mm |
| 重復定位精度 | ±0.02mm/m | ±0.02mm/m | ±0.02mm/m |
| 冷卻方式 | 風冷 | 風冷 | 風冷 |
| 電力需求 | AC220V | AC220V | AC220V |
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